多晶硅，是硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。

         多晶硅（polycrystalline silicon）有灰色金属光泽，密度2.32-2.34g/cm3。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，几乎能与任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料。

        多晶硅产业最大的特点之一就是其对产品质量分数的要求非常高，太阳能级和电子级多晶硅的质量分数分别要求达到至少6N（99.9999%）、8N（99.999999%），而杂质含量也是公认的衡量多晶硅材料质量的重要参数之一。

         多晶硅在生产过程中的碳杂质的来源主要有以下几个来源：

1.高纯硅，这是多晶硅中碳的主要来源；

2.石墨部件的粉尘；

3.真空系统中的油脂和密封材料中的易挥发碳化物；

4.多晶硅制造气氛中的碳氢化合物污染；

5.石墨部件与氧，石英坩埚反应的产物。

    使用短波红外相机可以清晰的检测到多晶硅中的碳杂质，具体如下图所示，测试过程中使用西安立鼎光电的LD-SW6401715-C-CL短波红外相机，搭配8mm短波红外镜头，配合卤素光源观察硅锭中的杂质。

                                                                                                          图1 短波红外相机观察硅锭（1）

                                                                                                        图2 短波红外相机观察硅锭（2）

                                                                                                                图3 可见光观察硅锭

        由以上测试图片可知，多晶硅在1200nm波段以上的光源下呈透明状，而碳等杂质无法透过1200nm波段以上的光，所以呈现黑色。

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